Уважаемый студент! 

Стоимость работы составляет 1400 руб.

Данная работа полностью готова и была защищена ранее на «отлично». Сейчас на нее максимально низкая цена, и Вы можете получить этот труд, связавшись с нами любым удобным для Вас способом:

Если Вам нужна любая другая работа, смело заказывайте её у нас. Наша команда исполнителей выполнит работу любой сложности своевременно и качественно.

1.2. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 320 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 4 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.

2.2. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 =4 мкА, а кремневый - I0 =  10-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 30 ма.

3.2. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1= 3 в равна С1 = 30 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении  U2=10 в. собственная  концентрация носителей заряда в кремнии  ni = 1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд  = 2×1020 м-3.

4.2. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 400С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,15 мА.

5.2. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы и напряжением коллектора .

6.2. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =50 мА, сопротивление  нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

7.2. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,92 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 7 мкА.

8.2. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = - 0,97. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  15 МГц.

9.2. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 20 кОм; h12 = 0,002; h21 = 20; h22 =2× 10-4Ом-1.

10.2.  Привести схематическое обозначение транзистора КТ315, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 15 В, эмиттер 1 В, база 10 В. Ответ поясните.

11.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -3В, 10 В.

12.2. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.

13.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -3В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.

13.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -4В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю

14.2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 10 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 3 В и чему равна крутизна в этом случае.

14.1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 12 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.

15.2. Объясните почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.

16.2. Объясните почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока базы.

17.2. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение сопротивления канала.

18.2. Объясните почему с увеличением длины канала в МДП транзисторе убывает ток стока.

ЛИТЕРАТУРА

Основная:

  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие 8-е изд., Издательство «Лань», 2006.
  2. Петров К. С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. Учебное пособие. СПб.: Питер, 2004.
  3. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций. – 6-е изд. – Спб.: КОРОНА-Век, 2009.

Дополнительная:

  1. А.И.Кучумов. Электроника и схемотехника. Учебное пособие.–М.:Гелиос, 2002.
  2. Аваев Н.А. и др. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов / Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. – М.: Радио и связь, 1991.
  3. Батушев. В.а. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980.
  4. Электронные приборы. Учебник для вузов / Дулин Б.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. и др.; Под редакцией Шишкина Г.Г. – М.: Энергоатом-издат, 1989.
  5. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов – М.: Энергоиздат, 1990.
  6. Лагин В.И., Савелов Н.С. Электроника. Учебное пособие.– Ростов н/Д.: Феникс, 2000.
  7. Сиднев Ю.Т., Грановский В.Г. Радиоэлектроника. Учебник для студентов технических вузов.– Ростов н/Д.:Феникс, 2000.

20 стр.

Уважаемый студент, данная работа поможет Вам быстрее усвоить учебный материал и станет хорошей основой для выполнения Вашей собственной контрольной работы.

А если тема Вашей работы полностью соответствует вышеуказанной, не стоит сомневаться, Вы останетесь довольны выбором.

Если же у Вас остаются некоторые сомнения, Вы в любое время можете связаться с нами, и мы постараемся их развеять: предоставим скриншот любой страницыотчет об уникальности, информацию о количестве заявок на приобретение работы и ответим на любые интересующие Вас вопросы.